LED的發光機理和工作原理有哪些?
發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其核心是PN結.因此它具有一般P-N結的I-N特性,即正向導通,反向截止、擊穿特性.此外在一定條件下它還具有發光特性.在正向電壓下電子由N區注入P區,空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)復合而發光.
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發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其核心是PN結.因此它具有一般P-N結的I-N特性,即正向導通,反向截止、擊穿特性.此外在一定條件下它還具有發光特性.在正向電壓下電子由N區注入P區,空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)復合而發光.